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产品系列
产品描述
金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)
产地:法国AS;
科研型MOCVD设备,也称为MOVPE,包含了**的液体直接注入工艺,同一腔室完成沉积和退火。
- 更低的设备及使用成本、更少的前驱体源使用、更小的腔体尺寸、跟高的薄膜沉积品质!
- 非常适合高校及研究所科研使用!
应用:- 金属及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...
- 半导体: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
- 氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...
- 高介电材料: SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
- 铁电材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
- 超导材料: YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
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- 巨磁阻材料...
- 热涂层, 阻挡层, 机械涂层, 光学材料...
- 其他…
仪器参数:1/ 1~8英寸MOCVD系统;
2/ 专为满足科研单位需求而设计;
3/ MC050 MOCVD系统可在不同基底上,以MOCVD方式,在固体、液体有机金属基源上沉积氧化物、氮化物、金属、III-V 和 II-VI膜层;
4/ MC050 MOCVD配有前驱体直接处理单元,可在大范围内使用MO源,用于外延材料的研发和制备;
5/ MOCVD腔室中的红外灯加热系统可实现在线退火工艺;
性能及特点:1/ 温度范围: 室温至1200°C ;
2/ 带质量流量控制器的气体混合性能;
3/ 真空范围: ~ 10-3 Torr,可选配高真空;
4/ 选配手套箱;